西安交大制备出全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片 六方氮化硼（hBN）是重要的超宽禁带半导体材料，具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性，在深紫外发光器件和探测器领域具有重要的应用。早在2007年，科研人员就开展了对hBN材料激子发光特性的实验研究与理论分析，相关成果发表在Science期刊上（Science, 2007, 317: 932-934）...
华科大在高效正红色真空蒸镀钙钛矿LED领域取得进展 日前，Light：Science & Applications在线刊发了华中科技大学唐江教授领衔的单片集成光电子器件与系统团队（MODS）题为《Fluorine-modified passivator for efficient vacuum-deposited pure-red perovskit...
